TRANZYSTORY UNIPOLARNE.

Tranzystor polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi, stanowią grupę kilku rodzajów elementów, których wspólną cechą jest pośrednie oddziaływanie pola elektrycznego na rezystancję półprzewodnika lub na rezystancję cienkiej warstwy nieprzewodzącej. Teoretycznie sterowanie pracą tranzystora polowego może odbywać się bez poboru mocy. W działaniu elementu udział bierze tylko jeden rodzaj nośników ładunku, stąd nazwa polowy (unipolarny).

W tranzystorach polowych elektrody mają swoją nazwę i określony symbol:

·   Źródło (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą z której wypływają nośniki ładunku do kanału. Prąd źródła oznacza się jako Is.

·  Dren (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą do której dochodzą nośniki ładunku. Prąd drenu – ID, napięcie dren-źródło – UDS.

·  Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą przepływem ładunków. Prąd bramki – IG, napięcie bramka-źródło – UGS.

·

a)                                                    b)               

Rys. 1. Symbole graficzne tranzystora polowego złączowego JFET z kanałem typu a) , oraz  z kanałem typu P b).

TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET.

Tranzystor MOSFET to tranzystor polowy, w którym bramka jest oddzielona od kanału cienką warstwą izolacyjną, najczęściej utworzoną z dwutlenku SiO2. Dzięki odizolowaniu bramki, niezależnie od jej polaryzacji, teoretycznie nie płynie przez nie żaden prąd. Praktycznie w tranzystorach JEFT prądy bramki są rzędu 1pA ¸ 10nA, a w tranzystorach MOSFET ok. 103 razy mniejsze. Dlatego też w tranzystorach JEFT możemy uzyskać rezystancję wejściową układu równą 109 ¸ 1012 Ω, a w przypadku tranzystorów MOSFET rezystancja wejściowa jest równa 1012 ¸ 1016 Ω. 

Rys. 2.  Symbol tranzystora MOSFET

Tranzystory MOSFET mają czwartą elektrodę – podłoże, oznaczone symbolem B. Spełnia ona podobną rolę sterującą jak bramka. Jest ona oddzielona od kanału tylko złączem p-n. Gdy nie korzysta się z funkcji podłoża, wówczas łączy się je ze źródłem. Połączenie to może być wykonane wewnątrz obudowy i wtedy nie ma wyprowadzenia na zewnątrz. 

Zalety tranzystorów polowych: 

· duża rezystancja wejściowa,

· małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie małych i średnich częstotliwości),

· możliwość autokompensacji temperaturowej,

· odporność na promieniowanie,

· małe wymiary powodują, że są one coraz powszechniej stosowane w układach analogowych i cyfrowych.